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开展三维集成基础研究 提升集成电路封装水平—— 中南大学朱文辉教授项目创新成果
2019-08-02
集成电路从16 nm特征尺寸开始进入三维时代，其发展快速趋近摩尔定律极限，成为世界高科技竞争的制高点。伴随尺寸微缩与结构的复杂组合，集成电路制造尺度效应和尺寸效应都被激发和强化，面对芯片的晶圆级三维集成，尺寸缩微后被强化和复杂化的电磁感应对信号的扰动、高度密集的异质异构三维微缩结构去除与生长共存的困难以及电磁、热、力强耦合下结构完整性与可靠服役差等系列挑战。典型的三维集成结构示意图，如图1所示。
在国家973计划项目的支撑下，由中南大学牵头，联合清华大学、北京大学、上海交通大学、中国科学院微电子所、华中科技大学、中芯国际集成电路制造有限公司和中国科学院深圳先进技术研究院等8家单位，中南大学朱文辉教授为项目首席科学家，开展了“20/14 nm集成电路晶圆级三维集成制造的基础研究”。项目聚焦20/14nm IC互连封装制造，以高性能存储器和处理器系统集成器件为应用对象，开展基本设计原理-核心制造原理-性能检测原理全过程的基础研究，形成三维集成的知识体系、成套技术与产品原型。
